[導(dǎo)讀] 根據(jù)GME現(xiàn)有的生產(chǎn)線能力，評(píng)估出不同表面銅厚、GBA盤徑大小情況下，不產(chǎn)生賈凡尼效應(yīng)的Au/Cu比，以指導(dǎo)PE在設(shè)計(jì)時(shí)做不同的線寬、GBA盤徑的補(bǔ)償，防止賈凡尼效應(yīng)的產(chǎn)生。

一、目的
        根據(jù)GME現(xiàn)有的生產(chǎn)線能力，評(píng)估出不同表面銅厚、GBA盤徑大小情況下，不產(chǎn)生賈凡尼效應(yīng)的Au/Cu比，以指導(dǎo)PE在設(shè)計(jì)時(shí)做不同的線寬、GBA盤徑的補(bǔ)償，防止賈凡尼效應(yīng)的產(chǎn)生。
二、實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備
        2.1 測(cè)試設(shè)備

編號(hào)	設(shè)備名稱	工序	生產(chǎn)商	設(shè)備規(guī)格型號(hào)	測(cè)試前檢查項(xiàng)目	目標(biāo)值
1	OSP線	OSP	宇宙	－	設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)良好，各參數(shù)達(dá)到SOP要求	－
2	線寬測(cè)量?jī)x	QE	－	－	設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)良好	－
3	金相顯微鏡	QE	－	－	設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)良好	－

       2.2 測(cè)試涉及的物料

物料名稱	供應(yīng)商	規(guī)格型號(hào)
PCB板	GME	-
OSP藥水F2	殷田	F2

      2.3分工及職責(zé)

部 門	職 責(zé)	負(fù)責(zé)人
ME	（1）負(fù)責(zé)評(píng)估計(jì)劃的制訂； （2）統(tǒng)籌整個(gè)工程試驗(yàn)活動(dòng)的進(jìn)行，監(jiān)控評(píng)估階段的生產(chǎn)（工藝流程、工藝參數(shù)等）； （3）負(fù)責(zé)最終試驗(yàn)報(bào)告的整理發(fā)出；	羅賢林
QE	（1）負(fù)責(zé)同ME一起共同制定相應(yīng)的評(píng)估計(jì)劃、測(cè)試項(xiàng)目等； （2）協(xié)助監(jiān)控整個(gè)評(píng)估階段的生產(chǎn)過程并對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行評(píng)判； （3）收集提供相關(guān)的測(cè)試數(shù)據(jù)報(bào)告，同ME共同出具評(píng)估報(bào)告；	李濤
QC	負(fù)責(zé)根據(jù)ME/QA的指示操作設(shè)備進(jìn)行測(cè)試板的生產(chǎn)，并按照要求做好相應(yīng)的參數(shù)記錄；	胡志嘉/周學(xué)鋒
PE	負(fù)責(zé)不同盤徑的設(shè)計(jì)，及提供相應(yīng)的菲林。	伍斌

 
      2.4 評(píng)估方法
          2.4.1評(píng)估的原理
          賈凡尼效應(yīng)原理：OSP微蝕溶液中S2O8^2-、Cu²⁺(由于S2O8^2-的氧化性強(qiáng)于Cu²⁺，所以一般不會(huì)出現(xiàn)Cu的沉積)離子都是接受陰極的電子的氧化性物質(zhì)，起陰極去極化的作用，即可稱為去極化劑，因?yàn)殂~腐蝕和去極化劑的還原同時(shí)進(jìn)行，所以S2O8^2-也叫做腐蝕劑，在腐蝕電池作用的同時(shí)，正常的微蝕作用依然存在：
Cu+ S2O8^2-→Cu²⁺+2SO4^2-     Cu-2e→Cu²⁺     E0 Cu²⁺/Cu=+0.337V  ； S2O8^2-+2e→2SO4^2-   E0 SO4^2-/ S2O8^2-=+2.01V
        在以上微蝕+腐蝕的作用下，蝕銅量將會(huì)大大增加,且原電池反應(yīng)的作用要比正常微蝕作用大很多，由于賈凡尼效應(yīng)導(dǎo)致的盤徑偏小進(jìn)而在客戶端出現(xiàn)了掉盤、開路等缺陷，一般賈凡尼效應(yīng)均發(fā)生在與金面直接相連的BGA盤，而且均為大陽極、小陰極的設(shè)計(jì)，即金銅面積比較大的情況下，圖示如下：

        根據(jù)兄弟公司的試驗(yàn)研究及業(yè)界的經(jīng)驗(yàn)，在同一系列OSP藥水情況下，BGA盤徑、表面銅厚及不同的Au/Cu面積比為影響賈凡尼效應(yīng)的主要因素；通過DOE試驗(yàn)來抓取出在實(shí)際生產(chǎn)中造成此類缺陷的顯著因子及賈凡尼效應(yīng)的規(guī)律，從而來優(yōu)化設(shè)計(jì)、指導(dǎo)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)，最終杜絕掉盤開路缺陷的發(fā)生。
        2.4.2評(píng)估內(nèi)容及方法
           2.4.2.1 試驗(yàn)板設(shè)計(jì)
           要求每個(gè)set內(nèi)含有不同盤徑、不同金銅面積比的設(shè)計(jì)要求每個(gè)set內(nèi)含有不同的走線方式（次外層H孔走線連接、外層直接走線連接），按照上述要求設(shè)計(jì)的試板圖形如下：
 
     注：上圖中數(shù)字編號(hào)表示Au/Cu面積比從50:1→200:1變化；  
          2.4.2.2試驗(yàn)流程設(shè)計(jì)
           菲林設(shè)計(jì)――內(nèi)層干膜圖形轉(zhuǎn)移――壓板――鉆孔――PTH――外層干膜圖形轉(zhuǎn)移――圖電――SES――SM――ENIG――OSP
         2.4.2.3 測(cè)試內(nèi)容

     注：1. 最小的BGA銅PAD盤徑設(shè)計(jì)為200um；
             2. 表中的空白為過OSP線試驗(yàn)后的BGA銅PAD盤徑大小。
      2.5 環(huán)境室溫；
 
三、評(píng)估計(jì)劃進(jìn)度 Schedule

    （以上實(shí)驗(yàn)的進(jìn)展依據(jù)生產(chǎn)安排來進(jìn)行?。?br />

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