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線路板中酸性蝕刻速率的影響研究

來(lái)源:織夢(mèng)技術(shù)論壇 ?????作者:秩名 ?????發(fā)布日期:2019-06-22?????

鋁基板,pcb多層板,深圳線路板廠-創(chuàng)盈電路

[導(dǎo)讀] 近年來(lái),隨著微波技術(shù)的發(fā)展,多功能輕型化天線系統(tǒng)中使用的微帶線路板逐漸增多,常用的微帶線路板一般采用聚四氟乙烯覆銅板,單面或雙面上走各種頻率微波帶線,由于直接影響

近年來(lái),隨著微波技術(shù)的發(fā)展,多功能輕型化天線系統(tǒng)中使用的微帶線路板逐漸增多,常用的微帶線路板一般采用聚四氟乙烯覆銅板,單面或雙面上走各種頻率微波帶線,由于直接影響到頻率變化。因此,微帶線路板加工過(guò)程中對(duì)帶線尺寸精度控制要求比較嚴(yán),這就給工藝提出了新的問(wèn)題,對(duì)微帶精密蝕刻技術(shù)進(jìn)行較深入地研究十分必要。 
1 引言 
    近年來(lái),隨著微波技術(shù)的發(fā)展,多功能輕型化天線系統(tǒng)中使用的微帶線路板逐漸增多,常用的微帶線路板一般采用聚四氟乙烯覆銅板,單面或雙面上走各種頻率微波帶線,由于直接影響到頻率變化。因此,微帶線路板加工過(guò)程中對(duì)帶線尺寸精度控制要求比較嚴(yán),這就給工藝提出了新的問(wèn)題,對(duì)微帶精密蝕刻技術(shù)進(jìn)行較深入地研究十分必要。 
    蝕刻是利用化學(xué)反應(yīng)方法將線路板顯影區(qū)域的露銅剝離形成所需電路圖形的過(guò)程。酸性CuCl2蝕刻液是一種常見(jiàn)的用于抗蝕劑為抗蝕干膜、抗蝕印料、液態(tài)感光印料、金鍍層的蝕刻藥水。 
 2 實(shí)驗(yàn) 
    2.1 實(shí)驗(yàn)原料 
    單面覆銅板,深圳市德晶宇陽(yáng)電子有限公司;鹽酸,分析純,深圳市鼎慶化工有限公司;無(wú)水氯化銅,分析純,上海國(guó)藥集團(tuán);氯酸鈉,分析純,上海埃彼化學(xué)試劑有限公司;苯并三氮唑,分析純,上海埃彼化學(xué)試劑有限公司;氨基磺酸,分析純,上海埃彼化學(xué)試劑有限公司;氯化銨,分析純,青島雅各化學(xué)試劑銷售有限公司等。 
    2.2 實(shí)驗(yàn)儀器 
   TE214S電子天平,賽伯樂(lè)(上海)儀器有限公司;DHG-9025A型恒溫干燥箱,上海和呈儀器制造有限公司等。 
    2.3 實(shí)驗(yàn)方法 
    2.3.1 酸性蝕刻工藝方法 
    單面覆銅板-清洗-檢查-酸性蝕刻-水洗-酸洗-水洗-吹干-稱重 
    2.3.2 添加劑的配制 
    稱取0.1g苯并三氮唑,1.0g氨基磺酸,10.gNH4Cl,加入至100ml燒杯中,用去離子水定容至100ml,在25℃下,攪拌均勻即可。 
 2.4 外觀檢查分析 
    對(duì)蝕刻試樣進(jìn)行外觀檢驗(yàn),觀察蝕刻表面均勻性,是否存在突沿,蝕刻是否完全等現(xiàn)象。 
 3 結(jié)果與討論 
    3.1 工藝參數(shù)對(duì)蝕刻速率的影響 
    3.1.1 氯化銅濃度對(duì)蝕刻速率的影響 
    選取鹽酸濃度2.0mol/L,氯化鉀濃度14g/L,氯酸鈉20g/L,添加劑濃度為14g/L,操作溫度為50℃,改變氯化銅濃度??疾炝瞬煌然~濃度對(duì)蝕刻速率的影響,影響結(jié)果如圖1所示。 



 從圖1中可知,當(dāng)氯化銅質(zhì)量濃度小于200g/L時(shí),蝕刻速率隨濃度增加而急劇增大;當(dāng)氯化銅質(zhì)量濃度為200g/L時(shí),蝕刻速率出現(xiàn)最大值,為14.42μm/min;隨著氯化銅質(zhì)量濃度的進(jìn)一步增加,刻蝕速率先有所降低。因此,最佳氯化銅質(zhì)量濃度為200g/L左右。 
 3.1.2 Cu+濃度對(duì)蝕刻速率的影響 
    選取氯化銅濃度為200g/L,鹽酸濃度2.0mol/L,氯化鉀濃度14g/L,氯酸鈉20g/L,添加劑濃度為14g/L,操作溫度為50℃??疾炝瞬煌珻u+濃度對(duì)蝕刻速率的影響,影響結(jié)果如圖2所示。 


 根據(jù)蝕刻反應(yīng),銅的蝕刻就會(huì)形成一價(jià)銅離子,這會(huì)顯著地降低蝕刻速率。所以,在蝕刻操作中要保持Cu+的含量在一個(gè)低的范圍內(nèi),并要盡可能快地使其重新氧化成Cu2+。 
  3.1.3 HCl濃度對(duì)蝕刻速率的影響 

    選取氯化銅濃度為200g/L,氯化鉀濃度14g/L,氯酸鈉20g/L,添加劑濃度為14g/L,操作溫度為50℃,改變鹽酸濃度??疾炝瞬煌琀Cl濃度對(duì)蝕刻速率的影響,影響結(jié)果如圖3所示。 

 


        在氯化銅蝕刻液中Cu2+和Cu+實(shí)際上都是以絡(luò)合離子的形式存在。銅離子由于具有不完全的d軌道電子殼,所以它是一個(gè)很好的絡(luò)合物形成體。一般情況下,可形成4個(gè)配位鍵。當(dāng)溶液中含有較多的Cl-時(shí),Cu2+是以[CuCl4]2-絡(luò)離子存在,Cu+是以[CuCl3]2-絡(luò)離子存在。當(dāng)鹽酸濃度升高時(shí),蝕刻時(shí)間減少,并且能夠提高溶銅量。但是,鹽酸濃度不可太高,否則加大的酸霧不僅影響環(huán)境而且對(duì)設(shè)備腐蝕破壞也加大了,并且隨著酸濃度的增加,氯化銅的溶解度迅速降低。 
    3.1.4 添加劑濃度對(duì)蝕刻速率的影響 
    選取氯化銅濃度為200g/L,鹽酸濃度2.0mol/L,氯化鉀濃度14g/L,氯酸鈉20g/L,操作溫度為50℃,改變添加劑濃度??疾炝瞬煌砑觿舛葘?duì)蝕刻速率的影響,影響結(jié)果如圖4所示。  



 由圖4可知,隨著添加劑濃度的增加,蝕刻速率與添加劑濃度呈線性關(guān)系。當(dāng)添加劑濃度為10g/L時(shí),蝕刻速率約為13.75μm/min,當(dāng)添加劑濃度為14g/L時(shí),蝕刻速率為14.41μm/min,當(dāng)添加劑濃度增至,18g/L時(shí),蝕刻速率可提高到16.32μm/min。但添加劑濃度過(guò)高,一方面,添加劑在試樣表面結(jié)晶,殘留物增多,影響試樣外觀;另一方面,蝕刻液的成本會(huì)有所上升。因此,不能一味地增加添加劑的濃度。綜合考慮之下,添加劑的濃度控制在10-18g/L即可。 
 4 結(jié)論 
      酸性蝕刻液的最佳配方為:氯化銅質(zhì)量濃度200g/L,鹽酸濃度1.5-2.5 mol/L,氯酸鈉20g/L,氯化鉀濃度10-18g/L,添加劑濃度為14g/L。 

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