在電路板生產(chǎn)實(shí)踐中，

 

通過生產(chǎn)實(shí)踐可知，蝕刻均勻的降低是由于蝕刻液在基板表面不同流動(dòng)效果所致。而且常規(guī)介質(zhì)厚度的基板上銅箔表面蝕刻液的流動(dòng)狀態(tài)又有所區(qū)別。對(duì)于常規(guī)介質(zhì)厚度的基板而言，當(dāng)蝕刻液噴淋到板面時(shí)，會(huì)有足夠大的噴射壓力擊破液面，并且隨著噴管的自動(dòng)搖擺而離開銅箔表面。當(dāng)溶液朝向基板邊緣流動(dòng)時(shí)，速度和湍流加快，故溶液的攪拌比較頻繁，其結(jié)果是改善了銅層與蝕刻液擴(kuò)散層之間的反應(yīng)離子的交換，使反應(yīng)速度加快，因此上板面蝕刻速率高于下板面。對(duì)薄介質(zhì)厚度的基板來說，隨著蝕刻過程的進(jìn)行，基板的剛性逐步消失，導(dǎo)致銅層表面向下凹，形成上板面蝕刻溶液的推積現(xiàn)象，從化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)角度分析,蝕刻液在板面的堆積的結(jié)果使得銅表面與蝕刻液之間擴(kuò)散層厚度加大，阻礙了反應(yīng)離子的頻繁交換，導(dǎo)致蝕刻事率降低。而下板由于蝕刻液自身的重力，級(jí)快的離開板面不存在蝕刻液堆積問題，擴(kuò)散層厚度小，非常有利于反應(yīng)離子的迅速交換，因而蝕刻速率較快。

從上述結(jié)果分析，無論是常規(guī)介質(zhì)厚度或薄介質(zhì)厚的基板，由于蝕刻液在板面的不同流動(dòng)結(jié)果都會(huì)使蝕刻均勻性降低。所以，必須采取工藝措施來解決和克服蝕刻均勻性差的技術(shù)問題，以提高精細(xì)導(dǎo)線圖形蝕刻質(zhì)量：

（1）、根據(jù)不同的蝕刻條件，通過試驗(yàn)方法所獲得的經(jīng)驗(yàn)，分別調(diào)整上、下噴淋壓力或者增加上噴咀或下噴咀的數(shù)量。來解決基板上、下板面蝕刻不均的問題、

（2）、通過壓力分布及流體分布以解決基板中心與基板邊緣蝕刻不均的現(xiàn)象。采用壓力差的工藝方法解決或者采用間歇式噴淋蝕刻工藝方法來解決。

（3）、采用單面蝕刻法。但此法只適合試驗(yàn)或批量小的高精細(xì)導(dǎo)線圖形的蝕刻。